Лекция
Привет, Вы узнаете о том , что такое ремонт памяти озу, Разберем основные их виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое ремонт памяти озу, ремонт озу, диагностика озу , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Диагностика, обслуживание и ремонт электронной и радиоаппаратуры.
Оперативная память - один из самых деликаных элементов компьютера .как и другие его элементы модули памяти могут выходить из строя. Перепады напряжения, механические воздействия, перегрев, переохлаждение или эксплуатация во рлажно или очень сухой среде - и ОЗУ нуждается в ремонте либо замене.
Самыми частыми признами неисправности ОЗУ являются:
Подтормаживание и подвисание во время работы ресурсозатратных приложений могут быть результатом использования в вашем компьютере слабой модели модуля DDR SDR.
Диаграмму диагностики и поиска несправности RAM вы найдете ниже в этой статье а пока разберемся с тем с чем имеем дело.
Для того чтобы глубже понять причины отказов памяти- рассмотрим виды и принцип действия и устройства модулей ОЗУ,
Рис 1 . Ф ункциональная схема RAM
- Давайте разберемся Что такое память и что ее окружает ?
Все функции компьютера имеют общие черты
Movement - Движение данных (FSB, PCI-E, USB….)
- Контроль (Северный мост, Южный мост…)
Memory Почему память улучшает производительность?
- CPU работает намного быстрее, чем HDD. Если все данные и приложения были сохранены на жестком диске. Процессор всегда будет ждать передачи данных с жесткого диска
- Горлышко бутылки в HDD, процессор простаивает большую часть времени
- Память улучшает использование процессора.
память быввает статическая и динамическая
Статическая RAM (SRAM)
Динамическое ОЗУ (DRAM)
- Синхронная DRAM (SDRAM)
В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала.
- Синхронная DRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR)
- Двойная скорость передачи данных 2 синхронных DRAM (DDR2)
- Rambus DRAM (RDRAM) больше не используется, не обсуждается здесь.
SO-DIMM Type
Как выглядит память?
Условия, связанные с производительностью
- Время доступа (нано секунд)
- измерения от того, когда модуль памяти получает запрос данных, когда эти данные становятся доступными.
Меньшие числа указывают на более высокие скорости.
- задержка CAS
Number количество тактов перед столбцом может быть адресованным на чипе DRAM.
Aten Задержка является мерой задержки
- двухканальный режим
БАНКИ ПАМЯТИ
Большинство компьютерных систем имеют два или более банков памяти -
обычно называется банком А, банком Б
Code Код исправления ошибок (ECC)
метод проверки целостности данных, используемый в основном в высокопроизводительных ПК
и файловые серверы. Пожалуйста, обратитесь к ECC (New) .ppt для деталей.
- Обнаружение серийного присутствия (SPD) хранит информацию о модуле памяти.
На любом модуле памяти DIMM присутствует небольшой чип SPD (Serial Presence Detect), в котором производителем записывается информация о рабочих частотах и соответствующих задержках чипов памяти, необходимые для обеспечения нормальной работы модуля.Когда компьютер загружается (запускается), происходит обнаружение последовательного присутствия (SPD) - в нем информация, хранится в электрически стираемой
микросхеме (EEPROM) .
ОСНОВЫ DDR
Сокращение от двойной скорости передачи данных с синхронной DRAM, тип SDRAM, который поддерживает передачу данных на
оба края каждого такта (восходящий и падающие края), эффективно удваивая память пропускная способность чипа.
- DDR-SDRAM также потребляет меньше энергии, что делает его хорошо подходящим для ноутбуков.
DDR-SDRAM также называется SDRAM II и DDRAM.
Операционная частота DDR 266 составляет 266 МГц, если шина данных ширина 64 бита, другими словами, 8 байт, таким образом, DDR 266
Пропускная способность памяти составляет 266 МГц x 8 = 2100 МБ / с, т.е. ПК 2100
PC1600 (DDR200)
Микросхема с двойной скоростью передачи данных, 2,5 вольт SSTL_2 совместимый ввод / вывод [класс II], как никогда напряжение может быть выше. Основное предложение напряжение [VDD] составляет 3,3 В или 2,5 В для DDR 200, DDR266 и DDR333, а 2,6 В для DDR400. Выходная мощность привода [VDDQ] равна 3,3 В или 2,5 В для DDR200, DDR266 и DDR333, а для DDR400 - 2,6 В. DDR использует двунаправленный строб данных для указания действительные данные [DQS]. STL-2: логика с заглушкой серии 2,5 В [JESD8-9].
Класс II обеспечивает более высокую мощность диссипация, высший драйв и максимум ток 15,2 мА. DDR, двойная скорость передачи данных. [JESD79] определяет две передачи данных за такт цикл. Часы дифференциальные. Сила Питание [VDD = 3,3 В + 0,3 В или 2,5 В + 0,02 В для DDR 200, DDR 266 или DRR 333; и 2.6v + 0,1 В для DDR 400]. Входы и выходы совместим с SSTL_2. Эти модули DIMM 184 Pin по размеру и не являются взаимозаменяемыми с более старыми 168 на модулях SDRAM.
DDR2 SDRAM (двойная скорость передачи данных, два синхронных Динамическая Оперативная Память) Advantage Преимущество DDR2 перед DDR SDRAM заключается в ее способности работать на гораздо более высоких тактовых частотах из-за улучшенного электрический интерфейс. Как и DDR, DDR2 будет передавать данные о каждом росте и опускание часов (двойная накачка), достижение эффективная частота 200 МГц с той же тактовой частотой Модули памяти DDR2 DIMM несовместимы с DDR DIMM из-за несовместимого контакта конфигурации, напряжение ядра и чип памяти технология. Modules Модули DDR2 разработаны с другим «ключом» в крайний разъем для предотвращения вставки в несовместимый разъемы памяти, такие как материнская плата DDR. DDR2 SDRAM DIMM не будет вписываться в стандартную SDRAM Разъем DIMM или DDR DIMM. Modules Модули DDR2 используют источник питания 1,8 В, обеспечивая большой энергосбережение по сравнению с модулями 2,5 В DDR.
В этом сценарии ядро работает на частоте 100 МГц, для DDR I ввод-вывод буферы синхронны с ядром. Varies Меняется только протокол, а в случае DDR II буферы ввода / вывода синхронизируются с удвоенной частотой ядра. Чтобы удовлетворить выход. DDR I предварительно выбирает 2 бита, DDR II необходимо предварительно выбирать 4 бита с помощью каждая команда чтения и конвейер их для вывода с мультиплексированием по времени
DDR vs. DDR II
Два канала обрабатывают память больше эффективно, используя теоретическую пропускную способность двух модули, таким образом уменьшая задержки системы, задержки синхронизации что по своей природе происходит с одним модулем памяти.
Правила включения двухканального режима
Использование IC с двойной скоростью передачи данных 1,8 Вольт SSTL_18 совместимый ввод / вывод [класс II], как бы ни было напряжение питания быть выше. SSTL-18: серия заглушек прекращена Логика для 1.8v [JESD 8-15A]. Учебный класс II обеспечивает более высокую мощность диссипация, высший драйв и максимальный ток 15,2 мА
Модули DDR2 содержат нагрузочный резистор, расположенный на микросхемы памяти, использующие технику, называемую On-Die Termination [ODT].
В то время как модули DDR1 имеют необходимое резистивное окончание, расположенное на материнской плате. Используя ODT, DDR2 может уменьшить количество деталей количество, необходимое для материнской платы, в то же время найдите завершения ближе к месту назначения сигнала. ODT прекращение
может быть включен или выключен контроллером DRAM. Обычно прекращения включены для записи и отключены для чтения. Значение
окончания ODT выбирается в зависимости от количества модулей в системе. Для одного модуля DIMM значение ODT установлено равным 150
Ом [300 Ом и 300 Ом]. Когда два модуля при загрузке в систему значение ODT изменяется на 75 Ом [150 Ом pull-up и 150Ω] для модуля DIMM, который не записывается в то время как доступ к модулю DIMM отключен. Запись в Регистр расширенного режима [EMR] контролирует наличие и значение ODT.
Допускаются три комбинации; нагрузка отключена, 75 Ом, и 150 Ом [также 50 Ом]. Новейшая версия добавляет 50 Ом значения завершения. ODT улучшает глазную диаграмму по сравнению с SSTL для модули Single-Rank или Dual-Rank.
- DDR3 SDRAM (синхронная двойная скорость передачи данных 3
Динамическая Оперативная Память)
- DDR3 SDRAM улучшает DDR2 SDRAM в нескольких
Существенные способы:
1. Более высокая пропускная способность за счет увеличения тактовой частоты
2. уменьшенное энергопотребление из-за изготовления 90 нм технология
3. Буфер предварительной выборки удваивается до 8 бит для дальнейшего увеличения частоты
4. Напряжение DDR3 SDRAM DIMM было снижено с 1,8 В до 1,5 В. Это снижает энергопотребление и тепло поколение, а также включение более плотной памяти конфигурации для более высоких мощностей.
DDR3 SDRAM обычно упаковывается в DIMM модули
DDR SO-DIMM Signal Description
Диаграмма диагностики и поиска несправности RAM
Визуальный осмотр
1. Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Проверьте слот памяти / контакт не поврежденный или изогнутый штифт внутри.
2. Проверьте связанный резистор, конденсатор Компонент без повреждений.
3. исправить любой след открыть или плохой припой
Использовать мультиметр или
Осциллограф для измерения
Напряжение памяти и Вт
Напряжение .
Напряжение памяти:
SDRAM: 3 В
DDR: 2,5 В
DDR2: 1,8 В
Напряжение Vtt памяти:
DDR: 1,25 В
DDR2: 0,9 В
Используйте осциллограф для измерения памяти
Часы
(100 МГц, 133 МГц, 166 МГц… зависит от
другой чипсет и память)
Вставьте карту памяти в гнездо.
Используйте мультиметр для измерения памяти
значение напряжения смещения сигналов. сравнить
с хорошим MB, если вы найдете
необычно.
неисправности оперативной памяти , неисправности ram , неисправности материнской платы , неисправности процессора ,
оперативные запоминающие устройства , озу , ram , динамическое озу ,
Анализ данных, представленных в статье про ремонт памяти озу, подтверждает эффективность применения современных технологий для обеспечения инновационного развития и улучшения качества жизни в различных сферах. Надеюсь, что теперь ты понял что такое ремонт памяти озу, ремонт озу, диагностика озу и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то не стесняйся, пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Диагностика, обслуживание и ремонт электронной и радиоаппаратуры
Комментарии
Оставить комментарий
Диагностика, обслуживание и ремонт электронной и радиоаппаратуры
Термины: Диагностика, обслуживание и ремонт электронной и радиоаппаратуры