Элементы конструкции микросхем Основные параметры ИМС кратко

Сразу хочу сказать, что здесь никакой воды про элементы конструкции микросхем, и только нужная информация. Для того чтобы лучше понимать что такое элементы конструкции микросхем, параметры имс, микросхемы , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Цифровые устройства. Микропроцессоры и микроконтроллеры. принципы работы ЭВМ.

элементы конструкции микросхем
Корпус – часть конструкции ИМС, предназначенная для защиты МС от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов.

Подложка – заготовка из диэлектрика, предназначенная для нанесения на нее элементов, межэлементных соединений и контактных площадок.

Плата – часть подложки или вся подложка, на поверхности которой нанесены пленочные элементы МС, межэлементных соединений и контактных площадок.

Полупроводниковая пластина – заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления ИМС;

Кристалл – часть пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой МС межэлементные соединения и контактные площадки;

Контактная площадка – металлизированный участок на плате или кристалле, или корпусе ИМС, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов;

Бескорпусная ИМС - кристалл МС, предназначенный для монтажа в гибридную ИМ или микросборку;

Вывод – проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла и механически с его поверхностью для обеспечения электрического контакта с внешними электрическими цепями.

Основные параметры имс
Плотность упаковки – количество в единице объеме
Степень интеграции – количество элементов, входящих в состав ИМС в 1 см3
1-ая степень интеграции – до 10 эл/см3
2-ая степень интеграции – 10-100 эл/см3
3-ая степень интеграции – 100-1000 эл/см3
4-ая степень интеграции – до 100000 эл/см3
и т.д. Об этом говорит сайт https://intellect.icu .

Классификация ИМС по технологии изготовления

Полупроводниковые - Все элементы МС получают в едином технологическом цикле, все элементы выполнены в объеме и на поверхности кристалла полупроводника. Полупроводниковые ПИМС потребляют 50-200 мВт.

Гибридные - ИМ, содержащая кроме элементов простые и сложные компоненты (несколько ПИМС). Пассивные элементы выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла или сапфира, а активные элементы – бескорпусные полупроводниковые приборы.

Пленочная - все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов

Статью про элементы конструкции микросхем я написал специально для тебя. Если ты хотел бы внести свой вклад в развитие теории и практики, ты можешь написать коммент или статью отправив на мою почту в разделе контакты. Этим ты поможешь другим читателям, ведь ты хочешь это сделать? Надеюсь, что теперь ты понял что такое элементы конструкции микросхем, параметры имс, микросхемы и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то не стесняйся, пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Цифровые устройства. Микропроцессоры и микроконтроллеры. принципы работы ЭВМ