Условные графические обозначения биполярных и полевых транзисторов кратко

Привет, Вы узнаете о том , что такое транзистор, Разберем основные их виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое транзистор , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база.

Условные графические обозначения транзистор ов и МОП-транзисторов различаются в зависимости от их типа. Вот основные обозначения:

Транзисторы

1. Биполярный транзистор (NPN):

   • Треугольник указывает направление тока через коллектор, а горизонтальная линия — эмиттер.

2. Биполярный транзистор (PNP):

   • Треугольник указывает направление тока через эмиттер, а горизонтальная линия — коллектор.

МОП-транзисторы (металло-оксид-полупроводниковые)

1. N-канальный МОП-транзистор:

   • Обозначение включает стрелку, указывающую на направление тока через канал, и две линии для источника и стока. Управляющий электрод (затвор) расположен между ними.

2. P-канальный МОП-транзистор:

   • Обозначение также включает стрелку, но она указывает в противоположном направлении, а управляющий электрод (затвор) и сток располагаются соответственно.

Эти обозначения позволяют легко идентифицировать транзисторы в схемах и понимать их функционирование.

NPN биполярный транзистор

Биполярный транзистор NPN-типа (BJT), состоящий из 3 слоев полупроводникового материала. Полупроводниковый материал типа AP расположен между двумя материалами типа N. Это управляемое током устройство, используемое для переключения или усиления. Ток, поступающий через базовый вывод, усиливается в ток, поступающий через коллектор.

PNP-транзистор BJT

Этот символ представляет собой PNP BJT транзистор. Он состоит из полупроводникового материала N-типа, зажатого между двумя материалами P-типа. PNP транзистор усиливается, когда его база отрицательна по отношению к коллектору и эмиттеру. Другими словами, он усиливает ток, вытекающий из его базовой клеммы.

Туннельный полевой транзистор

TFET или туннельный полевой транзистор — это тип MOSFET, структура которого похожа на структуру традиционного MOSFET, но его механизм переключения отличается. Они используют явление квантового туннелирования, что делает его идеальным кандидатом для маломощной электроники.

Однопереходный транзистор N-типа

Однопереходные транзисторы состоят из слаболегированной базы с сильнолегированным эмиттером, создающим только один переход. их также называют «диодами с двойной базой». Потенциал на эмиттере относительно базы управляет током через базу. Однопереходные транзисторы N-типа состоят из слаболегированной базы P-типа (B1 и B2) с сильнолегированным эмиттером N-типа (E). Они в основном используются для запуска тиристоров.

Однопереходный транзистор P-типа

Это однопереходный транзистор P-типа, изготовленный из стержня слаболегированного материала N-типа с сильнолегированной частью P-типа около базы 2. Его работа похожа на работу UJT N-типа, но полярности напряжений обратные,

Фототранзистор

Фототранзистор — светозависимый транзистор, преобразующий энергию света в электрический ток между коллектором и эмиттером. Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Он работает так же, как фотодиод, но более чувствителен с дополнительным коэффициентом усиления. Они используются в светочувствительных приложениях.

Многоэмиттерный NPN-транзистор

Это особый тип BJT (биполярный транзистор), который имеет несколько эмиттеров. Эмиттеры независимы друг от друга, а ток через каждый эмиттер зависит от его индивидуального напряжения относительно базы транзистора. Они в основном используются в вентилях NAND (транзисторно-транзисторная логика) TTL .

Лавинный NPN-транзистор

Это тип BJT, специально разработанный для работы в области лавинного пробоя, где возникает явление отрицательного дифференциального сопротивления. В этой точке увеличение напряжения приводит к уменьшению тока. Таким образом, лавинный транзистор обладает способностью очень быстро переключать большие токи.

Транзистор Шоттки NPN

Он состоит из диода Шоттки и транзистора. Диод Шоттки включен между базой и коллектором. Он удерживает транзистор от насыщения, шунтируя избыточный ток. Он помогает быстрому переключению из-за задержки во времени удаления накопленных зарядов в режиме насыщения.

JFET-транзистор N-канал

JFET или полевые транзисторы с переходом являются униполярными транзисторами, поскольку ток протекает из-за одного типа носителя. JFET управляются напряжением, т. е. ток протекает под воздействием напряжения на выводе затвора. Напряжение увеличивает или уменьшает область обеднения, управляющую током. N-канальный JFET имеет канал N-типа между истоком и стоком, в то время как затвор изготовлен из материала P-типа.

JFET транзистор с P-каналом

Этот символ представляет собой P-канальный JFET (обозначается стрелкой, направленной наружу). AP-канальный JFET состоит из канала P-типа, образованного между стоком и истоком, в то время как затвор изготовлен из материала N-типа. P-канальный JFET выключается, поддерживая положительное напряжение затвор-исток.

Программируемый однопереходный транзистор PUT

PUT или программируемый UJT — это устройство с четырьмя слоями PN, как и тиристоры, но оно работает как UJT, если запрограммировано с двумя внешними резисторами. У него есть анод, катод и вывод затвора. Напряжение на выводе затвора включает и выключает PUT, когда оно пересекает уровень отсечки.

Пара транзисторов NPN Дарлингтона

Это особый тип транзистора, изготовленный путем соединения эмиттера одного BJT с базой другого BJT для увеличения усиления тока и чувствительности. Его можно изготовить из NPN или PNP транзисторов, соединив их в этой конфигурации. Общий коэффициент усиления транзистора Дарлингтона является произведением коэффициентов усиления отдельных BJT, а падение напряжения в два раза больше на базе-эмиттере.

Пара транзисторов Sziklai

Транзистор Sziklai сделан из комбинации двух NPN и PNP транзисторов в паре Дарлингтона. Главное преимущество этой пары Sziklai заключается в том, что она включается при 0,7 В, в то время как общее усиление остается таким же, как в паре Дарлингтона.

МОП-транзистор обедненного типа

MOSFET или Metal-oxide Semiconductor FET — это еще один полевой транзистор, затвор которого полностью изолирован от канала тока, поэтому его также называют IGFET (Insulated Gate FET). Это устройство с током, управляемым напряжением. MOSFET обедненного типа обычно включен при нулевом напряжении затвор-исток. Они выключаются путем подачи положительного или отрицательного напряжения затвор-исток для P- или N-канального MOSFET соответственно.

Тип усиления MOSFET

МОП-транзисторы типа Enhancement обычно не проводят ток, когда напряжение затвор-исток равно нулю. Они включаются при подаче положительного напряжения затвор-исток для канала N и отрицательного напряжения затвор-исток для канала P. МОП-транзисторы типа Enhancement напоминают нормально разомкнутый переключатель, тогда как тип Depletion напоминает нормально замкнутые переключатели.

MOSFET-транзистор улучшенного типа с массой

Такой тип MOSFET с улучшением имеет четыре вывода. Дополнительный вывод известен как Bulk или body terminal. Он не является ни входным, ни выходным выводом, но используется для заземления подложки. Обычно он внутренне соединен с выводом источника, поэтому они опущены в их символе, чтобы показать ясную схему с менее громоздкой проводкой.

МОП-транзистор обедненного типа с объемным

Этот MOSFET обедненного типа имеет дополнительный отдельный вывод для объема или корпуса. Он закорочен с выводом источника MOSFET для работы. Он заземляет подсостояние.

MOSFET с двойным затвором и обеднением

Двойной затвор MOSFET — это особый тип MOSFET, который включает два отдельных затвора последовательно. Затворы управляют коэффициентами усиления более точно. Например, коэффициент усиления сигнала на затворе 1 можно контролировать, изменяя сигнал на затворе 2, тем самым обеспечивая автоматическое управление для сигнала различной величины.

MOSFET с двойным затвором и улучшенным типом

Это MOSFET с двойным затвором типа улучшения. Они работают так же, как и MOSFET типа истощения, но единственное отличие состоит в том, что тип истощения обычно проводит, а тип улучшения обычно не проводит, когда напряжение затвор-исток равно нулю.

Логический уровень FET транзистора

Транзисторы FET логического уровня предназначены для использования в цифровых логических системах. Они используются для переключения больших нагрузок при использовании с цифровой логикой, то есть положительное логическое напряжение обычно 5 В на затворе-истоке начинает проводить максимальный ток.

Фото FET транзистор

Фототранзистор FET — светозависимый FET, который переключается при изменении интенсивности света на его переходе. Они используются в оптопаре или оптоизоляторе для электрической изоляции двух цепей с помощью светодиода между ними.

Исследование, описанное в статье про транзистор, подчеркивает ее значимость в современном мире. Надеюсь, что теперь ты понял что такое транзистор и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то не стесняйся, пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Из статьи мы узнали кратко, но содержательно про транзистор