Лекция
Привет, Вы узнаете о том , что такое активные диэлектрики, Разберем основные их виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое активные диэлектрики, сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики , пироэлектрики, электреты , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Материаловедение и материалы электронных аппаратов.
Активными называют диэлектрики, свойствами которых можно управлять с помощью внешних энергетических воздействий и использовать эти воздействия для создания функциональных элементов электроники. активные диэлектрики позволяют осуществить генерацию, усиление, модуляцию электрических и оптических сигналов, запоминание или преобразование информации. По мере наращивания сложности электронной аппаратуры и перехода к функциональной электронике роль и значение активных материалов при решении важнейших научных и технических задач непрерывно возрастают.
К числу активных диэлектриков относят сегнетоэлектрики , пьезоэлектрики и пироэлектрики ; электреты ; материалы квантовой электроники; жидкие кристаллы; электрооптические, магнитооптические и акустооптические материалы; диэлектрические кристаллы с нелинейными оптическими свойствами и др. Свойствами активных диэлектриков могут обладать не только твердые, но также жидкие и даже газообразные вещества (например, активная среда газовых лазеров). По химическому составу это могут быть органические и неорганические материалы. По строению и свойствам их можно подразделить на кристаллические и аморфные, полярные и неполярные диэлектрики. Ряд материалов проявляет свою активность лишь благодаря наличию в них спонтанной или устойчивой остаточной поляризации. Однако поляризованное начальное состояние не является обязательным условием проявления активности материала при внешних воздействиях. Строгая классификация активных диэлектриков, охватывающая многие отличительные признаки этих материалов, оказывается весьма затруднительной. К тому же резкой границы между активными и пассивными диэлектриками не существует. Один и тот же материал в различных условиях его эксплуатации может выполнять либо пассивные функции изолятора или конденсатора, либо активные функции управляющего или преобразующего элемента.
Из всего многообразия активных диэлектриков в настоящей главе рассмотрены лишь те, которые нашли наиболее широкое практическое применение.
Рисунок 1 – Классификация диэлектриков
К активным диэлектрикам относят сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты, материалы квантовой электроники, суперионные проводники и др. Строгая классификация активных диэлектриков невозможна, поскольку один и тот же материал может проявлять признаки различных активных диэлектриков. Так, сегетоэлектрики часто сочетают свойства пьезоэлектриков. Кроме того, нет резкой границы между активными и пассивными диэлектриками. Один и тот же материал в зависимости от условий эксплуатации может выполнять либо функции пассивного изолятора, либо активные функции преобразующего или управляющего элемента.
Сегнетоэлектриками называют материалы, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электрического поля.
Рисунок 1 Кривая поляризации сегнетоэлектрика и петля диэлектрического гистерезиса.
В отсутствии внешнего электрического поля сегнетоэлектрики, как правило, имеют доменную структуру, то есть разбиваются на микроскопические области, обладающие спонтанной поляризацией. В принципе, у ферромагнетиков также имеются домены - области спонтанного намагничивания, поэтому поведение сегнетоэлектриков в электрическом поле подобно поведению ферромагнетиков в магнитном поле. Единственным различием между сегнетоэлектриками и ферромагнетиками является то, что при помещении их в электрическое поле меняется вектор электрического смещения D = E + P, а у ферромагнетиков при помещении в магнитное поле меняется индукция B = H+I.
За рубежом сегнетоэлектрики называют ферроэлектриками, поскольку сегнетоэлектрики являются формальными аналогами ферромагнетиков.
Отечественное название - сегнетоэлектрики произошло от сегнетовой соли, двойной калий-натриевой соли винно-каменной кислоты (NaKC4H4O6). Сегнетова соль была первым материалом, в котором обнаружена спонтанная поляризация. Свойства сегнетовой соли были всесторонне исследованы И.В. Курчатовым совместно с П.П. Кобеко в начале тридцатых годов двадцатого века. Монокристаллы сегнетовой соли нашли широкое применение для изготовления различных приборов в годы Великой Отечественной войны, однако в настоящее время сегнетова соль утратила свое техническое значение из-за низкой влагостойкости и низких механических свойств. Очень интенсивно начали развиваться фундаментальные и прикладные работы по сегнетоэлектричеству после открытия Б.М. Вулом (1944 г.) сегнетоэлектрических свойств титаната бария BаTiO3.
На примере BаTiO3 рассмотрим структуру и свойства сегнетоэлектриков.
Химические связи в BаTiO3 ионно-ковалентные. Титанат бария кристаллизуется в структуру типа перовскит. Элементарную ячейку решетки такого типа можно представить следующим образом: основу структуры составляют кислородные октаэдры, в центре которых расположены ионы титана. В свою очередь, ионы кислорода центрируют грани куба, составленного из ионов бария (рис. 2).
Размеры элементарной ячейки больше удвоенной суммы ионных радиусов ионов титана и кислорода. Поэтому ион титана имеет некоторую свободу перемещения в кислородном октаэдре.
Рисунок 2. Кристаллическая решетка титаната бария, и деформация решетки при переходе через точку Кюри.
При достаточно высоких температурах тепловая энергия иона титана достаточна для того, чтобы он непрерывно перебрасывался от одного иона кислорода к другому, поэтому усредненное положение иона титана находится в центре элементарной ячейки, и элементарная ячейка является симметричной - кубической.
Рисунок 3. Разбиение кристалла сегнетоэлектрика на домены.
Понижение температуры ведет к снижению кинетической энергии иона титана и при некоторой температуре (ниже 120 °С) он локализуется вблизи одного из ионов кислорода. В результате, симметрия в расположении заряженных частиц нарушается, и элементарная ячейка приобретает дипольный момент. В соседней элементарной ячейке ион титана смещается к отрицательному полюсу образовавшегося диполя. Таким образом, соседние элементарные ячейки становятся спонтанно поляризованными.
Одновременно со спонтанной поляризацией идет деформация кристаллической решетки, и кубическая решетка становится ромбоэдрической.
Итак, ниже некоторой температуры (температуры Кюри) сегнетоэлектрики самопроизвольно поляризуются, и при этом деформируется их кристаллическая решетка. Выше температуры Кюри сегнетоэлектрики переходят в параэлектрическое состояние, и кристаллическая решетка становится симметричной. Изменение типа кристаллической решетки при переходе через точку Кюри принято называть фазовым переходом.
Образование доменов в кристаллах сегнетоэлектриков связано с тем, что в том случае, когда все соседние элементарные ячейки кристалла поляризованы в одном и том же направлении, вокруг кристалла появляется внешнее электрическое поле. Наличие электрического поля повышает энергию системы и для снижения энергии кристалл самопроизвольно разбивается на домены.
Поскольку ниже температуры Кюри симметрия кристаллической решетки уменьшается, то число направлений, вдоль которых выгодна спонтанная поляризация соседних кристаллических решеток, сравнительно мало. Такими направлениями будут направления типа <111>. Соответственно соседние домены могут быть разориентированы на 180 или на 90 градусов. Поскольку суммарные электрические моменты соседних доменов антипараллельны или перпендикулярны, то в целом кристалл сегнетоэлектрика не обладает электрическим моментом.
Важно отметить, что на границах доменов происходит постепенный поворот дипольных моментов из одного направления в другое, аналогично тому, как происходит этот поворот в ферромагнетиках. В этом еще одно сходство сегнетоэлектриков с ферромагнетиками. Очевидно, что границы доменов в сегнетоэлектриках взаимодействуют со структурными несовершенствами решетки так же, как и ферромагнетиках.
Рисунок 4. Зависимость вектора электрического смещения D и диэлектрической проницаемости e от напряженности электрического поля Е
При помещении сегнетоэлектрика в электрическое поле некоторые домены имеют минимальную энергию, поскольку их дипольные моменты совпадают с направлением поля. Для снижения суммарной энергии материала эти домены растут, и суммарная поляризация сегнетоэлектрика увеличивается (рис. 4). После того, как благоприятно ориентированные домены заполнят весь кристалл, рост поляризации прекратится.
Известно, что диэлектрическая проницаемость является отношением вектора электрического смещения к вектору напряженности электрического поля e=D/E. Таким образом, в области резкого роста поляризации диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков максимальна.
Подобная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля позволяет использовать такие материалы для изготовления датчиков напряженности электрического поля и варикондов – нелинейных конденсаторов, емкость которых зависит от приложенного напряжения.
Рисунок 5 Изменение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков при повышении температуры
Существенное влияние на поведение диэлектриков в электрическом поле оказывает и температура. Как отмечалось ранее, при достижении некоторой температуры сегнетоэлектрики переходят в параэлектрическое состояние. Эту температуру называют температурой Кюри. Рассмотрим влияние температуры на свойства сегнетоэлектриков подробнее, в качестве примера вновь возьмем титанат бария. При повышении температуры кинетическая энергия ионов возрастает, и взаимодействие между ионами кислорода и титана, образующими дипольные моменты, ослабевает. Поэтому поворот диполей облегчается, и максимум поляризации наблюдается при меньших значениях напряженности электрического поля. Следовательно, диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков растет. При равенстве энергии электростатического взаимодействия ионов кислорода и титана с кинетической энергией колебаний ионов титана сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. При этом диэлектрическая проницаемость достигает максимума. Дальнейший рост температуры, приводит к тому, что тепловые колебания разориентируют диполи и диэлектрическая проницаемость снижается.
Из приведенного рассмотрения вытекают две важные особенности сегнетоэлектриков. Во-первых, сегнетоэлектрики можно использовать для изготовления датчиков температуры. Во-вторых, изменение энергии электростатического взаимодействия между ионами и изменение массы ионов при легировании позволяет изменять температуру Кюри. Последнее обстоятельство позволяет создавать материалы с размытой точкой Кюри, тогда в достаточно широком диапазоне температур у сегнетоэлектрики будет достаточно большая диэлектрическая проницаемостью, что позволяет использовать такие материалы для изготовления конденсаторов большой емкости.
Кроме того, изменение точки Кюри при легировании позволяет изготавливать компенсирующие конденсаторы, емкость которых изменяется при нагреве и компенсирует изменение емкости других конденсаторов.
В качестве иллюстрации влияния легирования на свойства сегнетоэлектриков рассмотрим легирование титаната бария цирконатом бария и титанатом кальция.
Как видно из приведенных рисунков, легирование приводит к существенному изменению свойств сегнетоэлектриков, поэтому на базе твердых растворов изготавливаются материалы с различными свойствами.
Конденсаторная сегнетоэлектрическая керамика. Для изготовления конденсаторной сегнетоэлектрической керамики используют добавки, которые «размывают» сегнетоэлектрический фазовый переход, что приводит к сглаживанию температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Следует, однако, отметить, что сглаживание зависимости диэлектрической проницаемости от температуры ведет к снижению диэлектрической проницаемости.
Среди существующей конденсаторной сегнетокерамики можно выделить:
1. Материалы со слабо выраженной зависимостью диэлектрической проницаемости от температуры. Типичным примером является сегнетокерамика Т-900. Данный материал является твердым раствором титанатов стронция и висмута. Максимум диэлектрической проницаемости соответствует точке Кюри, равной -140°С. В области рабочих температур (-50 +150°) температурная зависимость диэлектрической проницаемости - слегка падающая. Среднее значение e составляет 900.
2. Материалы со сглаженной зависимостью диэлектрической проницаемости от температуры. Типичный представитель этого класса материалов сегнетокерамика - СМ-1. Данную сегнетокерамику получают на основе титаната бария с добавкой окислов циркония и висмута. Материал используется для изготовления малогабаритных конденсаторов на низкие напряжения.
3. Материалы с максимальным значением диэлектрической проницаемости в заданном диапазоне температур. Типичным представителем является материал Т-8000. Данный материал является твердым раствором BaTiO3 – BaZrO3. Максимум диэлектрической проницаемости находится в области комнатной температуры и составляет 8000. Используется для изготовления конденсаторов при комнатной температуре, работающих в нешироком диапазоне температур.
Сегнетоэлектрическая керамика для варикондов. Варикондами называют нелинейные конденсаторы, емкость которых зависит от напряженности электрического поля. Одна из важнейших характеристик варикондов – коэффициент нелинейности К – отношение максимального значения диэлектрической проницаемости к начальной диэлектрической проницаемости. Коэффициент нелинейности для различных материалов изменяется от 4 до 50. Основной кристаллической фазой в таких материалах являются твердые растворы системы Ba(Ti,Sn)O3 или Pb(Ni,Zr,Sn)O3.
Сегнетоэлектрики с прямоугольной формой петли гистерезиса. Благодаря диэлектрическому гистерезису сегнетоэлектрики можно использовать для записи информации. Поляризация в одном направлении означает хранение в памяти единицы, а поляризация в другом направлении означает хранение нуля. Для этих целей наиболее подходят материалы с петлей гистерезиса, близкой к прямоугольной. Прямоугольная петля гистерезиса наблюдается в монокристаллических сегнетоэлектриках.
В 1880 году братьями П. и Ж. Кюри был открыт прямой пьезоэффект – возникновение электростатических зарядов на пластинке, вырезанной из кристалла кварца, под действием механических напряжений. Эти заряды пропорциональны механическому напряжению, меняют знак вместе с ним и исчезают после снятия напряжений.
Наряду с прямым пьезоэффектом, наблюдается и обратный пьезоэффект, когда под действием электрического поля возникает механическая деформация кристалла, причем величина механической деформации прямо пропорциональна напряженности электрического поля.
Обратный пьезоэффект не следует смешивать с электрострикцией – деформацией диэлектриков под действием электрического поля. Электрострикция наблюдается как в твердых диэлектриках, так и жидких, тогда как пьезоэффект наблюдается только в твердых диэлектриках с определенной кристаллической структурой. Кроме того, при электрострикции наблюдается квадратичная зависимость между напряженностью поля и деформацией, а при пьезоэффекте – зависимость линейная.
Пьезоэлектрический эффект наблюдается только тогда, когда кристаллическая решетка несимметрична. Отсутствие центра симметрии кристаллической решетки является необходимым, но недостаточным условием появления пьезоэлектрического эффекта.
Как отмечалось выше, при прямом пьезоэффекте заряды на поверхности диэлектрика пропорциональны приложенной силе.
( 1)
Где Q – величина заряда, F – величина приложенной силы, d - коэффициент пропорциональности между зарядом и приложенной силой, называемый пьезомодулем.
( 2)
Поделив величину заряда и приложенную силу на площадь S, получим
или 
( 3)
где: qs – поверхностная плотность зарядов, Р – поляризация, s - механические напряжения.
Для случая обратного пьезоэффекта пьезомодуль связывает величину относительной деформации кристалла с напряженностью электрического поля
( 4)
Важно отметить, что приведенные соотношения имеют лишь качественный характер. Реальное описание пьезоэлектрического эффекта намного сложнее. Дело в том, что механическое напряжение является тензорной величиной, имеющей шесть независимых компонентов, тогда как поляризация является векторной величиной. Поэтому пьезомодуль, устанавливающий связь между вектором поляризации и механическими напряжениями, является тензором третьего ранга, имеющим 18 независимых компонентов. В тензорной форме уравнение прямого и обратного пьезоэффектов принимает следующий вид:
( 5)
( 6)
где i = 1,2,3 – компоненты вектора поляризованности; j = 1,2…6 – компоненты тензора механических напряжений или деформаций.
Помимо пьезомодуля еще одной важной характеристикой пьезоэлектриков является коэффициент электромеханической связи k. Квадрат этого коэффициента представляет собой отношение механической энергии к полной электрической энергии полученной от источника питания.
Пьезоэлетрические материалы
В настоящее время известно большое количество веществ, обладающих пьезоэлектрическими свойствами, в том числе – все сегнетоэлектрики. Однако не все пьезоэлектрические материала нашли техническое применение.
Одним из наиболее известных пьезоэлектриков является монокристаллический кварц – безводный диоксид кремния, кристаллизующийся в тригонально-трапецоэдрическом классе гексагональной сингонии. Крупные природные прозрачные кристаллы кварца получили название горного хрусталя. В кристаллах кварца принято различать три главные оси: Х – ось, проходящую через вершины шестиугольника поперечного сечения (таких осей 3); Y - ось, перпендикулярную осям шестиугольника поперечного сечения (таких осей также три); Z – ось, проходящую через вершины кристалла.
Пластинки кварца, вырезанные перпендикулярно оси Z, не обладают пьезоэлектрическим эффектом. Наибольший эффект наблюдается в пластинках, вырезанных перпендикулярно оси Х.
Рисунок 7 Кристалл кварца и схема возникновения пьезоэлектрического эффекта.
Плоскопараллельная полированная пластинка кварца с электродами и держателем представляет собой пьезоэлектрический резонатор, то есть является колебательным контуром с определенной резонансной частотой колебаний. Резонансная частота зависит от толщины пластинки и направления среза. Преимуществами кварцевых резонаторов является малый tgd и высокая механическая добротность. Благодаря высокой механической добротности кварцевые резонаторы используют в качестве фильтров с высокой избирательной способностью, а также для стабилизации и эталонирования частоты в генераторах. Одним из важнейших требований к таким резонаторам является температурная стабильность резонансной частоты. Этому требованию удовлетворяют пластинки специальных косых срезов по отношению к главным осям.
Природные кристаллы кварца, как правило, содержат дефекты, снижающие их ценность. Поэтому основные потребности пьезотехники удовлетворяются искусственными кристаллами, выращиваемыми из насыщенных кремнием щелочных растворов.
Помимо кварца, в качестве материалов для пьезоэлектрических элементов широко используют ниобат и танталат лития. По своей природе данные материалы являются сегнетоэлектриками. Для придания им пьезоэлектрических свойств производят отжиг в сильном электрическом поле, что проводит к созданию монодоменного состояния.
Аналогичным образом можно перевести в пьезоэлектрическое состояния сегнетокерамику. Поляризованную сегнетокерамику называют пьезокерамикой. Пьезокерамика имеет перед монокристаллами то преимущество, что из нее можно изготовить активный элемент любой формы и размера. В качестве материала для пьезокерамики используют твердые растворы на основе титаната бария, титаната-цирконата свинца, метаниобата свинца.
Пьезокерамические материалы принято разделять на четыре функциональные группы. Материалы группы 1 используют для изготовления высокочувствительных элементов, работающих в режиме приема или излучения механических колебаний. Для таких материалов необходим большой пьезомодуль. Материалы группы 2 используют для изготовления генераторов сильных сигналов, работающих в условиях сильных электрических полей или высоких механических напряжений. Для таких материалов необходимо высокое удельное электрическое сопротивление. Материалы группы 3 используют для изготовления пьезоэлементов, обладающих повышенной стабильностью резонансных частот в зависимости от температуры и времени. Материалы группы 4 используются для изготовления высокотемпературных пьезоэлементов.
Материалы на основе титаната бария. Наиболее дешевым материалом является пьезокерамика ТБ-1 (BaTiO3). Отсутствие в составе летучих при обжиге компонентов и простота технологии изготовления обусловливают его широкое распространение. Большей температурной стабильностью характеристик обладают твердые растворы титанатов бария и кальция с добавкой кобальта (ТБК-3) и титанатов бария кальция и свинца (ТБКС).
Материалы на основе твердых растворов титаната – цирконата свинца. На основе этих твердых растворов разработана серия пьезоэлектрических материалов, носящих условное название ЦТС (за рубежом PZT). Состав этих материалов базируется на твердом растворе, содержащем 53-54% цирконата свинца и 46-47% титаната свинца. Для улучшения характеристик в основной раствор вводятся добавки титаната стронция, а также ряд оксидов – оксиды ниобия, тантала, лантана, неодима и др.
Температура Кюри этих материалов превышает 250 °С, и у них отсутствуют низкотемпературные фазовые переходы, что приводит к большой стабильности диэлектрической проницаемости и пьезомодуля по сравнению с характеристиками керамики на основе титаната свинца. Технология получения изделий из ЦТС усложнена тем, что в состав ЦТС входит летучий оксид свинца, который улетучивается при обжиге. Это обстоятельство приводит к плохой воспроизводимости свойств, поэтому обжиг заготовок пьезоэлементов производят в атмосфере паров оксида свинца.
Материалы на основе метаниобата свинца. Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Твердые растворы метаниобатов свинца и бария ((Pb,Ba)Nb2O3), содержащие 40-50% метаниобата бария, имеют высокую температуру точки Кюри (свыше 250 °С); у них также отсутствуют низкотемпературные фазовые переходы. Технология изготовления изделий из них проще, поэтому материалы марок НБС получили широкое распространение.
Свойства некоторых пьезокерамических материалов приведены в таблице 1.
Таблица 1 Характеристики различных пьезокерамик.
|
Марка материала |
Функциональная группа |
Диэлектрическая проницаемость |
Точка Кюри, °С |
Коэффициент электромеханической связи |
Пьезомодули (d) 10-11, Кл/Н, не менее |
|
|
|
|
|
|
|
d31 |
d33 |
|
ТБ-1 |
1 |
1500±300 |
110 |
0,20 |
4,5 |
10 |
|
ТБК –3 |
2 |
1200±200 |
95 |
0,2 |
4,3 |
8,3 |
|
ТБКС |
3 |
450±50 |
150 |
0,17 |
2 |
5 |
|
ЦТС 19 |
1 |
1725±325 |
290 |
0,4 |
10,0 |
20,0 |
|
ЦТСНВ-1 |
1 |
2250±560 |
240 |
0,45 |
16,5 |
40,0 |
|
ЦТС-23 |
2 |
1075±225 |
275 |
0,43 |
10,0 |
20,0 |
|
ЦТС-24 |
2 |
1075±225 |
270 |
0,45 |
10,0 |
20,0 |
|
ЦТБС-3 |
2 |
2300±500 |
180 |
0,45 |
12,5 |
32,0 |
|
ЦТСС-1 |
2 |
1150±150 |
260 |
0,43 |
7,5 |
18,0 |
|
ЦТС-22 |
3 |
800±200 |
300 |
0,20 |
2,0 |
5,0 |
|
ЦТС-35 |
3 |
1000±200 |
300 |
0,38 |
7,0 |
Не норм. |
|
ЦТС-21 |
4 |
550±150 |
400 |
0,2 |
2,7 |
6,7 |
|
НБС 1 |
2 |
1600±300 |
245 |
0,28 |
6,7 |
16,7 |
|
НБС-3 |
3 |
1800±400 |
250 |
0,20 |
4,5 |
10,0 |
Электретами называют диэлектрики, длительное время сохраняющие электризованное состояния после окончания внешнего воздействия, вызвавшего электризацию. Электреты являются формальными аналогами постоянных магнитов, создающих вокруг себя магнитное поле. Принципиальная возможность получения таких материалов была предсказана Фарадеем. Термин «электрет» был предложен Хевисайдом в 1896 году по аналогии с английским «magnet» - постоянный магнит, а первые электреты получены японским исследователем Егучи в 1922 году. Егучи охладил в сильном электрическом поле расплав карнаубского воска и канифоли. Электрическое поле сориентировало полярные молекулы, и после охлаждения материал остался в поляризованном состоянии. Для уточнения технологии такие материалы называют термоэлектретами.
Существуют и другие технологии получения электретов. Электроэлектреты получают при выдержке электретов в сильных полях при комнатной температуре. При этом электрическое поле вырывает электроны с одной поверхности материала и пересыщает ими другую.
Фотоэлектреты получают одновременным воздействием электрического поля и света. Облучение материала светом возбуждает атомы и снижает работу выхода электронов.
Короноэлектреты получают при воздействии на диэлектрик коронного разряда. В коронном разряде происходит насыщение одной поверхности диэлектрика ионами одного знака и насыщение противоположной поверхности ионами другого знака.
Радиоэлектреты получают воздействием пучками заряженных частиц высокой энергии.
Трибоэлектреты получают, воздействуя на них трением. Разрушение молекул при трении проводит к несимметричному расположению зарядов.
Получение электретов сводится, таким образом, к электризации диэлектрика, в результате которой образуются большие по значению и стабильные во времени заряды, поверхностные потенциалы, электрические поля. Решать эту задачу можно как путем получения «замороженной поляризации, так и путем получения высоких концентраций избыточных неравновесных, не скомпенсированных зарядов.
Сравнительную эффективность каждого из этих путей можно оценить на основе следующего приблизительного расчета. Пусть в качестве электризуемого диэлектрика выбран полярный полимер с плотностью (r) 103 кг/м3 с молекулярной массой (m) 102 кг/моль. Тогда в единичном объеме содержится rNA/m частиц, где NA = 6´1026 кмоль-1-
продолжение следует...
Часть 1 4.14. КЛАССИФИКАЦИЯ АКТИВНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики , пироэлектрики электреты
Часть 2 Жидкие кристаллы - 4.14. КЛАССИФИКАЦИЯ АКТИВНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики ,
Часть 3 Кристаллические материалы лазеров - 4.14. КЛАССИФИКАЦИЯ АКТИВНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики
Данная статья про активные диэлектрики подтверждают значимость применения современных методик для изучения данных проблем. Надеюсь, что теперь ты понял что такое активные диэлектрики, сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики , пироэлектрики, электреты и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то не стесняйся, пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Материаловедение и материалы электронных аппаратов
Комментарии
Оставить комментарий
Материаловедение и материалы электронных аппаратов
Термины: Материаловедение и материалы электронных аппаратов