Тоже самое что слово - легированный,
1. прилагательное Из причастие по значение совершенный вид глагол : легировать.
1.
Прич. страдательное (причастие) прошедшее время от легировать.
2. в значение прилагательное
Такой, в состав которого введены другие металлы для придания определенных свойств.
Легированная сталь.
... качества проявляются при работе в режиме сильной инжекции ., когда заполняется носителями заряда из сильнолегированных n+ и p+.областей , к которым прикладывается прямое смещение напряжения функционально можно сравнить с ведром ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... каналом и со встроенным . каналом В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис 2 , а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока . отсутствует и, следовательно , заметный ток стока появляется только ... ... 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с. электропроводностью Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком , а также индуцированный . и встроенный канал имеют электропроводность Если ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... уровни сливаются , образуя примесные зоны , примыкающие к. разрешенным зонам (такие полупроводники называются сильнолегированными ). При изготовлении полупроводниковых приборов для создания p-n переходов нужной конфигурации . иногда ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... изготавливаются по планарно-эпитаксиальной технологии , позволяющей оптимизировать электрические параметры . прибора На пластине сильнолегированного низкоомного полупроводника (обычно с проводимости , обозначается . n+) выращивается высокоомная пленка низколегированного полупроводника ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... В этом фотоэлементе вблизи тыловой (нижней на Рис поверхности перед. металлическими омическими контактами созданы сильнолегированные полупроводниковые слои р Между двумя базовыми областями р+ и р возникает потенциальный барьер . препятствующий ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)
... , имеют один коэффициент термического расширения Изготовление начинается с эпитаксиального выращивания слаболегированного на сильнолегированной n.+ подложке , на которую наносится тонкий слой Поглощающая маска создается на поверхности этого ... (Конструирование и проектирование электронной аппаратуры)
Комментарии
Оставить комментарий