1. Процесс действия по значение несовершенный вид глагол : легировать.
ЛЕГИРОВАНИЕ
( немецкое Legirung, от лат. ligare - связывать). Сплавливание благородного металла с каким-либо другим.
ЛЕГИРОВАНИЕ
немецкое Legirung, от лат. ligare, связывать. Сплавление благородного метала с каким-либо другим.
-я, средний род
Действие по значение глагол легировать.
Легирование металлов.
... полупроводнику определенного типа электропроводности в него вносят . определенные примеси Этот процесс называется легированием Полупроводник Основным носителем заряда являются дырки Вещества III группы (Al ... ... носителей . в зоне проводимости в отличие от проводников и ведет себя .как диэлектрик При сильном легировании ситуация может поменяться (см вырожденные полупроводники ) Легирование Легирование (полупроводники ) Электрические ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... на границах слоев Отдельные слои используются в качестве резисторов , а - в диодных . и транзисторных структурах Легирование пластины приходится осуществлять локально , т е на отдельных участках , разделенных достаточно большими расстояниями ... ... в масках , в частности в окисной пленке , называют окнами . Окисная маска с окнами для локального легирований Теперь кратко охарактеризуем составные части (элементы ) полупроводниковых ИС Основным элементом ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... изменяется при нагреве и компенсирует изменение емкости .других конденсаторов В качестве иллюстрации влияния легирования на свойства сегнетоэлектриков рассмотрим легирование . титаната бария цирконатом бария и титанатом кальция ... ... . титаната бария цирконатом бария и титанатом кальция Как видно из приведенных рисунков , легирование приводит к существенному изменению . свойств сегнетоэлектриков , поэтому на базе твердых растворов изготавливаются ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... ) и значительно превосходят прямые токи в при.таком же прямом напряжении Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью параметров . Так как полупроводниковый материал относительно сильно ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... твердотельной электроники , представляющий . собой структуру из нескольких полупроводниковых слоев с чередующимися (p, n).типами легирования и обладающий симметричной относительно начала координат вольт-амперной характеристикой . Может рассматриваться как диодный ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... при.последующих технологических операциях , и легирующие примеси , намеренно вводимые в заданных количествах . в полупроводник при легировании как в процессе приготовления поликристаллической шихты .или выращивания монокристалла , так и в процессе изготовления p-n переходов ... ... и рекомбинации носителей заряда В некоторых случаях , например при изготовлении полупроводниковых кристаллофосфоров , осуществляется легирование . примесями , создающими глубокие уровни , и необходимая излучательная рекомбинация происходит между.краем одной ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
Комментарии
Оставить комментарий