1. Соотносящийся по значение с существительное : окисел, окисление, связанный с ними.
2. Полученный в результате окисления.
... температурах на воздухе объясняется близкими значениями температурных . коэффициентов линейного расширения сплавов и их окисных пленок Поэтому последние не растрескиваются и не отделяются от сплава Срок службы ... ... в. твердую инертную среду типа глинышамота , предохраняющую их от механических воздействий .и затрудняющую доступ кислорода Окисные пленки на поверхности нихрома имеют небольшие и стабильные в. широком интервале температур контактные ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... длярастений форме егонемного Это зависит отокислительно-восстановительного потенциала иреакции почвы Например , начинаясокисное железо выпадает восадок в.виде гидроокиси Следовательно , сусилением кислотности растворимость железа ... (Агрохимия и биохимия)
... , как в холоднотянутом , так и в отожженном .состояниях Недостатком меди является ее подверженность атмосферной коррозии с образованием окисных . и сульфидных пленок Скорость окисления быстро возрастает при нагревании , однако прочность сцепления ... ... . и сульфидных пленок Скорость окисления быстро возрастает при нагревании , однако прочность сцепления окисной . пленки с металлом невелика Вследствие окисления медь не пригодна для слаботочных контактов ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... отверстий различной . формы или, как говорят ,. необходимый рисунок (рис Отверстия в масках , в частности в окисной пленке , называют окнами . Окисная маска с окнами для локального легирований Теперь кратко ... ... (рисунок ) каждого слоя определяется либо трафаретом , как в случае ТсГИС , либо маской , подобно . окисной маске в полупроводниковых ИС (рис Навесные элементы в ТкГИС , как и в ТсГИС , приклеивают на. поверхность ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... окна - заданной . конфигурации для доступа травителя к расположенной под этим слоем полупроводниковой .пластине с окисной пленкой Такие окна - образуются при экспонировании фоторезиста в потоке ультрафиолетового излучения . лазера ... (Конструирование и проектирование электронной аппаратуры)
... С одной стороны они должны , обладать довольно высокой активностью , чтобы . обеспечить удаление окисной пленки с поверхности контактных площадок и выводов .компонентов С другой стороны , после пайки они должны ... ... . Предположение , что в процессе пайки все активные составляющие флюса полностью . прореагируют при взаимодействии с окисной пленкой и металлом , не правомерно ,.т к площадь контактных площадок не превышает 10 ... (Конструирование и проектирование электронной аппаратуры)
Комментарии
Оставить комментарий