1. Мн. Соединения азота с металлами и некоторыми металлоидами; неплавкие вещества, устойчивые при высоких температурах.
... - SiGe Группа III-V полупроводники Антимонид алюминия - AlSb Арсенид алюминия - AlAs Нитрид алюминия - AlN Фосфид алюминия - AlP Нитрид бора - BN Фосфид бора ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... приборы наоснове чистого арсенида галлия .сизлучением инфракрасного света (=900 нм ), нитрида галлия - голубого света .идругие материалы , посвоим характеристикам уступающие рассмотренным Высокая ... ... (III ) фосфид (GaP ).Зеленый 500 < λ < 570 1 ,9 < ΔU < 4 , Индия-галлия нитрид (InGaN ) / Галлия (III ) нитрид (GaN ).Галлия (III ) фосфид (GaP ).Алюминия-галлия-индия ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)
... требует дополнительных . модулей (вакуумной системы , высоковольтного источника питания и т п ) Тонкая пленка нитрида кремния позволяет ослабить до приемлемых значений энергии . поток β-электронов, а вольфрамовая маска эффективно ... (Конструирование и проектирование электронной аппаратуры)
... , плотноспеченные материалы изоксидов .металлов снизким электрич сопротивлением [напр , и (AlTi )илиоксидов инитридов Ви.сдобавкойметаллов (W, Mo , Ti , Zr , Hf ) илиих.карбидов Обладают высокими теплопроводностью , мех ... ... , работают .вусловиях т-р до650 °СОснова радиопрозрачной керамики - высокотемпературные оксиды иBe , нитриды .иВ; tg d10 - 3 , e = 4 (длянитрида .бора ) и10 (дляалюмооксидной керамики ); теплопроводность ... (Устройства СВЧ и антенны)
... конечных изделий электроники и повысить .их быстродействие В качестве подложек используется керамика AlN (нитрид алюминия ) и. (поликор BK ; Для формирования топологии используются проводящие материалы Наиболее ... ... , что. ухудшает отвод тепла от проводящего слоя В связи с чем, рекомендовано использовать керамику на основе нитрида . алюминия , из-за ее высокой теплопроводности Также в паяном соединении могут образовываться пузыри , уменьшающие ... (Конструирование и проектирование электронной аппаратуры)
... ПТ с изолированным затвором КМОП .; п/п ЗУ с зарядовой связью ;. со структурой МНОП (металл - нитрид кремния - окисел Si - п/п.) по способу обращения к массиву элементов памяти с произвольным обращением ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий