Сильноэллиптический - понятие и значение

Рассмотрим что означает понятие и значение слова сильноэллиптический (информация предоставлена intellect.icu).

Тоже самое что слово - эллиптический,

1. Соотносящийся по значение с существительное : эллипс (1*), связанный с ним.
2. Имеющий форму эллипса (1*). 2. Соотносящийся по значение с существительное : эллипсис, связанный с ним.
3. Основанный на эллипсисе.
4. Содержащий в себе эллипсис.

1. Эллиптическая, эллиптическое ( математика , грамматика , л (итальянское) ). Прилагательное к эллипс и к эллипсис; являющийся эллипсом. Эллиптическая форма тела. Эллиптическое предложение.

ЭЛЛИПТИЧЕСКИЙ

овальный, подобный эллипсису.

(1)

1. Мат.

прилагательное к эллипс (в 1 значение ); являющийся эллипсом.

Скачки должны были происходить на большом четырехверстном эллиптической формы кругу перед беседкой. Л. Толстой, Анна Каренина.

2.

Имеющий вид, форму эллипса.

Эллиптическая рессора.

На каждой книжке был эллиптический штемпель с круговой надписью. Морозов. Повести моей жизни.

(2)

Лингв.

Основанный на пропуске какого -либо легко подразумеваемого слова, члена предложения.

Синонимы

эллиптичный, узкоэллиптический, эллиптический

Рифмы

Данное слово имеет следующие слова-рифмы:

Полные рифмы для слова "сильноэллиптический":
абазинский, аббатский, абверовский, абдеристический, абиссинский, аболиционистский, абонентский, абсолютистский, абстракционистский, абхазский, венгерский, высокий, героический, горнозаводский, горький, жидкий, лёгкий, психический, щегольский

Рифмы для этого же слова "сильноэллиптический", но если ударение на последний слог :
абецедарий.
Помните, что рифмы могут зависеть от диалектов и произношения, поэтому в некоторых случаях рифмы могут варьироваться.

Вымышленные слова-рифмы для этого же слова (с учетом частотности букв русского или английского языка) "сильноэллиптический" :
реногокий, лабаьокий, нырорекий, менусокий, ратилокий, рапикикий, кйнарекий, ригобикий.



Больше рифм

---

Цифровое произношение

Используя технологию и алгоритмы для преобразования "Сильноэллиптический" в числовой формат с целью облегчения их поиска, классификации или сопоставления для достижения цифрового произношения алгоритмами soundex-С454, для metaphone-"силнaилиптичиский" и для double-metaphone SLNL.

См. также

... качества проявляются при работе в режиме сильной инжекции ., когда заполняется носителями заряда из сильнолегированных n+ и p+.областей , к которым прикладывается прямое смещение напряжения функционально можно сравнить с ведром ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... каналом и со встроенным . каналом В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис 2 , а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока . отсутствует и, следовательно , заметный ток стока появляется только ... ... 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с. электропроводностью Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком , а также индуцированный . и встроенный канал имеют электропроводность Если ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... уровни сливаются , образуя примесные зоны , примыкающие к. разрешенным зонам (такие полупроводники называются сильнолегированными ). При изготовлении полупроводниковых приборов для создания p-n переходов нужной конфигурации . иногда ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)

... изготавливаются по планарно-эпитаксиальной технологии , позволяющей оптимизировать электрические параметры . прибора На пластине сильнолегированного низкоомного полупроводника (обычно с проводимости , обозначается . n+) выращивается высокоомная пленка низколегированного полупроводника ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... В этом фотоэлементе вблизи тыловой (нижней на Рис поверхности перед. металлическими омическими контактами созданы сильнолегированные полупроводниковые слои р Между двумя базовыми областями р+ и р возникает потенциальный барьер . препятствующий ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)

... , имеют один коэффициент термического расширения Изготовление начинается с эпитаксиального выращивания слаболегированного на сильнолегированной n.+ подложке , на которую наносится тонкий слой Поглощающая маска создается на поверхности этого ... (Конструирование и проектирование электронной аппаратуры)

---

---