1. Устаревшее прилагательное.
2. Соотносящийся по значение с существительное : примус, связанный с ним.
3. Свойственный примусу, характерный для него.
4. Принадлежащий примусу.
5. Предназначенный для примуса.
1. Примусная, примусное. Прилагательное к примус. Примусная иголка. Примусная горелка.
прилагательное к примус.
Примусная горелка.
Предназначенный для примуса.
Примусная иголка.
... при нагревании и охлаждении Рис Температурная зависимость удельной электропроводности легированного полупроводника :. I - участок примесной проводимости ; II - отсутствия термогенерации ;. III - примесной и собственной проводимости ... ... - рекомбинация , т. е возвращение электрона в валентную зону и исчезновение пары свободного электрона . и дырки Примесные полупроводники , или легированные - это полупроводники , содержащие донорные или акцепторные . атомы или стехиометрически избыточные атомы ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... от слова «negative »;, обозначающего отрицательный заряд основных . носителей Этот вид полупроводников имеет примесную природу В четырехвалентный полупроводник (например , кремний ) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например ... ... от слова «positive »;, обозначающего положительный заряд основных . носителей Этот вид полупроводников , кроме примесной основы , характеризуется дырочной природой проводимости . В четырехвалентный полупроводник (например , в кремний ) добавляют ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... межузельный атом - атом основного элемента , находящийся в междоузельном положении . элементарной ячейки Примесный атом замещения - замена атома одного типа атомом другого типа. в узле кристаллической решетки ... ... , которые по своим размерам . и электронным свойствам относительно слабо отличаются от атомов основы Примесный атом внедрения - атом примеси располагается в междоузлии кристаллической решетки . В металлах примесями ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... показывает эксперимент , при малом содержании примеси удельное сопротивление возрастает . пропорционально концентрации примесных атомов Это связано с ограничением длины свободного пробега электрона В реальном проводнике ... ... значения длин свободного пробега при рассеянии на. тепловых колебаниях решетки и на примесях Рассматривая примесный атом в виде сферы с поперечным сечением рассеяния . , для длины свободного пробега запишем ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... концентрация избыточных носителей превышает собственную , т. е n>no, p>po , в узкозонных из-за термогенерации no, po . В полупроводниках с примесным поглощением возрастает концентрация носителей только одного . знака - основных или неосновных , а фотопроводимость ... ... носителей только одного . знака - основных или неосновных , а фотопроводимость соответственно называется униполярной (примесной ). Ей соответствуют участки 3 и 4 (штриховые линии ) спектра поглощения . на Рис ... (Квантовая электроника)
... частях полупроводников уменьшается количество свободных электронов и. дырок , так как при более низкой температуре «примесные »; электроны реже .покидают атомы , значит , и реже образуются дырки Полупроводниковые приборы ... (Постоянный электрический ток)
Комментарии
Оставить комментарий