Опротестовываться - понятие и значение

Рассмотрим что означает понятие и значение слова опротестовываться (информация предоставлена intellect.icu).

1. Не совершенный вид Страд. к глагол : опротестовывать.

1. Опротестовываюсь, опротестовываешься, несовершенный вид ( книжное ). Страд. к опротестовывать.

-ается; несовершенный вид

Страд. к опротестовывать.

Часть речи

Глагол (инфинитив)

Синонимы

оспаривавшийся, оспаривающийся, опровергающийся

Рифмы

Данное слово имеет следующие слова-рифмы:

Полные рифмы для слова "опротестовываться":
абонироваться, абсолютизироваться, абсорбироваться, абстрагироваться, авансироваться, автоматизироваться, авторизоваться, агглютинироваться, агломерироваться, агрегатироваться, воскрылитишься, вымуслитишься, засолятишься, купнутишься, подбелитишься, пообогретишься, препнутишься, прометнутишься, раскислятишься, украдучишься

Вымышленные слова-рифмы для этого же слова (с учетом частотности букв русского или английского языка) "опротестовываться" :
куыижоься, зекувиься, дилазаься, нозопаься, рорюсеься, ратикаься, дйлодяься, китевоься.


Больше рифм

---

Цифровое произношение

Используя технологию и алгоритмы для преобразования "Опротестовываться" в числовой формат с целью облегчения их поиска, классификации или сопоставления для достижения цифрового произношения алгоритмами soundex-О163, для metaphone-"aпрaтистaвaватсa" и для double-metaphone APRT.

См. также

... только увеличиваемый от нуля ток внешнего генератора достигает пороговой . величины , сопротивление обратносмещенных p-n переходов начинает определяться не их барьерными .свойствами , а наличием высокой концентрации ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... сегнетоэлектрические материалы Полевой транзистор сзатвором напереходе (JFET ), вкотором затвор .изолирован обратносмещенным p-n переходом Полевой транзистор металл-полупроводник (MESFET ), аналогичный JFET спереходом Шоттки ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... омические контакты Принцип работы диффузионных конденсаторов основан на использовании барьерной емкости обратносмещенного . p-n перехода , где диэлектриком служит обедненный слой p-n перехода Эквивалентная схема ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

---

---