Тоже самое что слово - подвластный,
1. 1. разговорное, Тот, кто находится под чьей -либо властью, в чьем -либо подчинении, в зависимости от кого -либо 2. Находящийся под чьей -либо властью, в чьем -либо подчинении, в зависимости от кого -либо
2. а) переносное значение. Поддающийся воздействию, влиянию кого -либо , чего -либо б) Подлежащий ведению чего -либо
Находящийся под чьей кто-нибудь властью, зависящий от кого-чего кто-нибудь Человек подвластен року. П. закону.
1. Подвластная, подвластное; подвластен, подвластна, подвластно ( книжное ). Находящийся под властью, в подчинении у кого-чего кто-нибудь Что не подвластно мне? Пушкин. Подвластный человек.
-ая, -ое; -тен, -тна, -тно.
Находящийся под властью кого-, чего -либо , в подчинении у кого-, чего -либо
{Пугачев} велел выдать мне пропуск во все заставы и крепости, подвластные ему. Пушкин, Капитанская дочка.
Спокойная независимость, которая невольно чувствовалась в этой гувернантке — существе обыкновенно жалком и подвластном, — сильно его удивляла. Куприн, Впотьмах.
Дед кажется лесным владыкой, которому подвластны звери, птицы и травы. Арамилев, Д единственное число
... величина проводимости , но и. характер ее температурной зависимости СОБСТВЕННЫЕ И ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА . Собственные полупроводники - это полупроводники , в которых можно пренебречь влиянием примесей ... ... в полупроводник для придания ему особых . свойств , например резкого уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда Примеси такого типа создают глубокие уровни , которые часто являются ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... заряда ). Принцип формирования субнаносекундных импульсов основан на том, что восстановление обратного . сопротивления после рассасывания неосновных носителей происходит за очень короткое время ,.существенно короче чем длительность фронта смены ... ... емкости корпуса , барьерной емкости и имеет малое .времени восстановления обратного сопротивления (рассасывания неосновных носителей накопленных в базе диода . при прямом токе ) рис 1 Уменьшение площади ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... за счет контактной . разности потенциалов φк, и препятствует диффузии основных носителей заряда , и.является ускоряющим для неосновных зарядов P-n переход характеризуется двумя основными параметрами :. контактная разность потенциалов ... ... диффузионной и дрейфовой Диффузионный ток , создается основными носителями заряда , а дрейфовый ток - неосновными . В равновесном состоянии сумма диффузионного и дрейфового токов равна нулю .: = + = 0 Это соотношение ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... В полупроводнике типа n находится много свободных электронов - основных носителей . тока , и мало дырок - неосновных носителей тока В полупроводнике типа p наблюдается обратная картина Через границу соприкосновения полупроводников ... ... , переключив источник тока (рис 8-27 , в) Тогда к переходу устремятся с каждой стороны неосновные носители тока . (малые кружки ) Эти носители могут переходить границу даже ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... . В полупроводниках с примесным поглощением возрастает концентрация носителей только одного . знака - основных или неосновных , а фотопроводимость соответственно называется униполярной (примесной ). Ей соответствуют участки 3 и 4 ... ... области перехода и. прилегающих к ней областях размером , примерно равным диффузионной длине неосновных .носителей Только с расстояния , меньшего диффузионной длины , неосновной носитель в процессе . движения ... (Квантовая электроника)
... обращенного диода при разном . напряжении на нем Благодаря малой емкости и отсутствию накопления неосновных носителей обращенные диоды . применяется в СВЧ-схемах детектирования (выпрямления малых сигналов ). При ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий