МОП
{ан глагол mop - швабра} - похожее на метлу приспособление из ткани или пенопласта для уборки помещений.
(Источник: «Словарь иностранных слов». Комлев Н.Г., 2др.- еврейское и т. п. др.- еврейское и т. п. 6)
... 17 Группа изделий λB × 10 6 1 /ч Транзисторы полевые низкочастотные :. 0,012 МОП (MOSFET ) с p-n переходом (JFET ). 0,0045 Транзисторы однопереходные 0,0083 Транзисторы биполярные ... ... ГГц , мощность 0,1 . ≤ F ≤ 6 Вт Транзисторы полевые высокочастотные кремниевые :. 0,06 МОП (MOSFET ) с p-n переходом (JFET ). 0,023 Тиристоры 0,0022 Примечания : 1 Значение ... (Надежность радиоэлектронных устройств)
... ) - максимальный уровень выходного сигнала MOS (Metal Oxide Semiconductor ) - структура метал-окисел-полупроводник (МОП ). MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) - полевой транзистор с МОП ... ... FeedBack ) - отрицательная обратная связь NMOS (N channel Metal Oxide Semiconductor ) - метал-окисел-полупроводник (МОП ) структура с. NOR - логический элемент ИЛИ-НЕ -. NOT - логический элемент НЕ -. NPC ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)
... Motorola IGBT представляет собой биполярный p-n p транзистор , управляемый от низковольтного . полевого МОП - транзистора с индуцированным каналом через высоковольтный Обозначение IGBT В настоящее время основными полностью ... ... смещается в. прямом направлении , а - в обратном При нулевом потенциале на затворе канал отсутствует и МОП транзистор . закрыт При этом биполярный транзистор работает в режиме с отключенной базой . и находится ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... МОП-структура - полупроводниковая структура , применяемая припроизводстве микросхем идискретных полевых .транзисторов Полупроводниковые приборы наоснове этой структуры называют МОП-транзисторами (аббревиатура от.слов «металл-оксид-полупроводник »;, англ metal-oxide-semiconductor field effect transistor , сокращенно «MOSFET »;), МДП-транзисторами (отслов «металл-диэлектрик-полупроводник .»;) илитранзисторами сизолированным затвором (таккакутаких транзисторов .затвор отделен отканала тонким слоем диэлектрика ).Вотличие отбиполярных транзисторов , которые управляются током , транзисторы с.изолированным затвором управляются напряжением , таккакзатвор изолирован отстока ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... Прибор с зарядовой связью (ПЗС ) - это интегральная схема , представляющая собой . совокупность МОП (металл-оксид-полупроводник ) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник ) структур , сформированных на общей .полупроводниковой подложке таким образом , что полоски ... ... единицах .) по мере накопления заряда Q (в относит Рис 2 Характеристика накоп-ления ячейки МОП - структуры ельных единицах ) На том же графике приведена зависимость ширины d обедненного ... (Квантовая электроника)
... ИМС - интегральная микросхема ИС - интегральная схема КМОП - структура на комплементарных МОП-транзисторах МОП - структура «металл - окисел - полупроводник »;. НИР - научно-исследовательская работа ОЗУ - оперативное запоминающее ... (Надежность радиоэлектронных устройств)
Комментарии
Оставить комментарий