Тоже самое что слово - нагнетать,
1. Не совершенный вид переходный Давлением перемещать и сосредоточивать в ограниченном пространстве (жидкость, газ, сыпучие тела).
1. Нагнетаю, нагнетаешь, несовершенный вид (к нагнести), что ( специальное ). Давлением перемещать и сосредоточивать в ограниченном пространстве (жидкость, газ, сыпучие тела). Нагнетать воздух. Нагнетать жидкость. Нагнетать давление ( техника ) - увеличивать давление.
-аю, -аешь.
Не совершенный вид к нагнести.
... перехода Потенциальный барьер перехода снижается , что усиливает инжекцию носителей из эмиттера . в базу Инжектированные носители диффундируют через базу к коллекторному переходу и втягиваются . его электрическим полем в область коллектора ... ... диффундируют через базу к коллекторному переходу и втягиваются . его электрическим полем в область коллектора Ток инжектированных носителей , а соответственно и образованный ими коллекторный ток . многократно превышает фототок оптически ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... тока величина прямого напряжения (сопротивления ) на p-n переходе больше ., чем это следует из , так как концентрация инжектированных (неосновных ) носителей .еще мала В течение концентрация инжектированных носителей достигает величины ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... в зону проводимости электрода TiO 2 . Это приводит к окислению фотосенсибилизатора (S + ). 3 Инжектированные электроны в зоне проводимости TiO 2 транспортируются между. наночастицами TiO 2 с диффузией ... ... энергией для поглощения , создают . возбужденное состояние красителя , из которого электрон может быть «инжектирован »; непосредственно .в зону проводимости TiO 2 . Оттуда он движется диффузией (в результате градиента ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)
... этого исследования использовались различные экспериментальные методы , такие как эксперимент . Хейнса-Шокли по временам пролета инжектированных носителей , времяпролетный эксперимент (TOF ) для.определения подвижности носителей , эксперимент по распространению волны ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... приводит квозникновению энергетического уровня ловушки вблизи .зРис 3 оны проводимости Инжектированные изn- вр-область светодиода электроны попадают сначала на.уровни ловушек , которые затем захватывают ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)
... .электронов идырок из-заинжекции дырок изpp ‑области иаккумуляции .электронов изПри этомконцентрация инжектированных носителей составляет 1016 1017 Через структуру протекает постоянный ток прямого ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий