1. Соотносящийся по значение с существительное : барьер (1,2), связанный с ним.
2. Свойственный барьеру (1,2), характерный для него.
1. Барьерная, барьерное. Прилагательное к барьер.
прилагательное к барьер.
... метод никаких барьеров не строит Он лишь формулирует предусловие , требующее существование барьерного элемента в массиве . Ответственность за выполнение предусловия лежит на клиенте Тот , кто вызывает ... (Алгоритмы и теория алгоритмов)
... свидетельствует о том, что он обладает емкостью Емкость p-n перехода состоит из двух составляющих различают барьерную Сбар . и диффузионную Сдиф емкости а) При обратном смещении преобладает барьерная емкость ... ... - для плавного перехода ),. ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала ;. П - площадь перехода Модельным аналогом барьерной емкости может служить емкость плоского конденсатора , обкладками . которого являются р- и , а диэлектриком ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... достигает пороговой . величины , сопротивление обратносмещенных p-n переходов начинает определяться не их барьерными .свойствами , а наличием высокой концентрации носителей заряда , введенных за счет пропускаемого . тока ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... ) - «[электрическая ] емкость »;) - электронный прибор ., полупроводниковый диод , работа которого основана на зависимости барьерной емкости p-n .перехода от обратного напряжения Варикапы с большой рассеиваемой мощностью , предназначенные ... ... , частотной модуляции , управляемых фазовращателей и др Принцип работы варикапа Изменение толщины барьерного обедненного слоя вблизи p-n перехода при изменении . обратного напряжения , приложенного к структуре ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... ).Высокочастотный диод - полупроводниковый диод сp-n переходом , имеющий малую собственную .конструктивную ибарьерную емкости ималое время восстановления обратного сопротивления Применяется всхемах смесителей идлявыпрямления ... ... диода показана нарисунке Здесь переход .представлен дифференциальными параметрами сопротивлением перехода ибарьерной емкостью СБАР Потери вбазе диода , омических переходах ивыводах отображены последовательным ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... , обходит точки . из внутренней части области допустимых значений , использует методы логарифмических барьерных .функций нелинейного программирования , разработанные в годах Фиако (Fiacco ) и МакКормиком . (McCormick ) См ... (Математическое программирование)
Комментарии
Оставить комментарий