Эпидиктический - понятие и значение

Рассмотрим что означает понятие и значение слова эпидиктический (информация предоставлена intellect.icu).

ЭПИДИКТИЧЕСКИЙ

( греческое ). Хвастливый.

Рифмы

Данное слово имеет следующие слова-рифмы:

Полные рифмы для слова "эпидиктический":
абазинский, аббатский, абверовский, абдеристический, абиссинский, аболиционистский, абонентский, абсолютистский, абстракционистский, абхазский, венгерский, высокий, героический, горнозаводский, горький, жидкий, лёгкий, психический, щегольский

Рифмы для этого же слова "эпидиктический", но если ударение на последний слог :
абецедарий.
Помните, что рифмы могут зависеть от диалектов и произношения, поэтому в некоторых случаях рифмы могут варьироваться.

Вымышленные слова-рифмы для этого же слова (с учетом частотности букв русского или английского языка) "эпидиктический" :
рорахекий, геренекий, розевокий, гысорекий, тинамакий, ленэпекий, рймотокий, садорекий.



Больше рифм

---

Цифровое произношение

Используя технологию и алгоритмы для преобразования "Эпидиктический" в числовой формат с целью облегчения их поиска, классификации или сопоставления для достижения цифрового произношения алгоритмами soundex-Э132, для metaphone-"ипидиктичиский" и для double-metaphone APTK.

См. также

... используют обычно кремниевый . монокристалл толщиной около 1 мкм , выращенный на сапфировой подложке .эпитаксиальным способом Этот материал имеет удельное сопротивление порядка 100 Ом •см и. подвижность ... (Акустроэлектроника и акустооптика)

... питания и сигналов , например , в устройствах с горячей заменой . Устройства , изготовленные из слабо легированных эпитаксиальных слоев , выращенных на сильно . легированных подложках , также менее подвержены защелкиванию Сильно ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)

... использован наиболее высокоомный материал , который . обычно называют «полуизолирующим »; Выращенный на подложке эпитаксиальный p+-слой защищен слоем окисла SiO . В окисле вскрываются отверстия нужного диаметра ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... . n+) выращивается высокоомная пленка низколегированного полупроводника C помощью диффузии акцепторной примеси на поверхности эпитаксиального слоя формируется . низкоомный анодный слой Боковая поверхность структуры для защиты выходящего ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

... конструкции Светодиоды наоснове фосфида арсенида галлия (см Рис получают наращиванием эпитаксиального слоя 2 наподложку изарсенида .галлия Излучаемый вобласти p-n перехода Зсвет ... ... на.подложку 1 ичастично поглощается , чтоприводит кдополнительным потерям энергии .Сулучшением технологии эпитаксиальный слой 2 выращивают напрозрачной подложке .изфосфида галлия сотражающим нижним покрытием ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)

... , имеющей большое . сопротивление и меньшую площадь сечения (сопротивление 60 - 300 кОм ). Эпитаксиальные резисторы создаются в области коллектора . (ps = 500 - 5000 Ом /м). Ионно-легированные резисторы ... ... Планарная технология подразумевает создание деталей и электрических соединений в подложке . в одной плоскости Эпитаксиальное наращивание заключено в напылении разогретого полупроводника на некоторые участки . поверхности подложки Диффузионная ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

---

---