1. Мн. Соединения фосфора с другими элементами.
... , кремний Si , селен Se , сложные полупроводниковые материалы : арсенид галлия .GaAs , фосфид галлия GaP и другие В чистых полупроводниках концентрация носителей заряда - свободных электронов ... ... , и обозначают буквами латинского . алфавита (A - первый элемент , B - второй и т д ) Например , бинарное соединение фосфид индия InP имеет обозначение AIIIBV Широкое применение получили следующие соединения :. AIIIBV ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... спектральные характеристики , дающие зависимость относительной мощности .отдлины волны излучения , длясветодиода изфосфида галлия (кривая .ифосфида арсенида галлия (кривая - Вольт-амперная характеристика I=(U) - совпадает сВАХ ... ... (InGaN ) / Галлия (III ) нитрид (GaN ).Галлия (III ) фосфид (GaP ).Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP ).Алюминия-галлия фосфид (AlGaP ).Синий 450 < λ < 500 2 ,48 < ΔU < 3 ... (Источники питания радиоэлектронной аппаратуры)
... зоны :. •Германий (Ge ) 0,85 эВ ;. •Кремний (Si ) 1 ,1 эВ ;. •Фосфид индия (JnP ) 1 ,26 эВ ;. •Металлы (Cu ) 0 эВ ;. •Изоляторы >3 ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... Этиенокарб фенобукарб изопрокарб Метомил Метолкарб Оксамил промекарб пропоксур Неорганические соединения Фосфид алюминия Борная кислота Хромированный арсенат меди арсенат меди (II ).Цианид ... (Фитопатология)
... В других работах приводятся примеры синтезирования оптических формирователей радиолуча , интегрированных . на подложки фосфида индия [95 , и PLC на основе диоксид .кремниевых подложек В таблице 1 приведены ... (Устройства СВЧ и антенны)
... - Ближний ИК Низкая Германий (Ge ) Высокий Низкое Ближний ИК Низкая Фосфид галлия (GaP ).Низкий Высокое УФ - Видимый Средняя Арсенид галлия-индия (InGaAs ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий