Вещества, электропроводность к-рых при комнатной температуре меньше, чем у металлов, и больше, чем у диэлектриков.
... «»; происходит от слова «negative »;, обозначающего отрицательный заряд основных . носителей Этот вид полупроводников имеет примесную природу В четырехвалентный полупроводник (например , кремний ) добавляют примесь пятивалентного полупроводника ... ... себя .как диэлектрик При сильном легировании ситуация может поменяться (см вырожденные полупроводники ) Легирование Легирование (полупроводники ) Электрические свойства полупроводника могут сильно зависеть от дефектов ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... и имеет электроны проводимости (частично . заполнена ) при температуре отличной от нуля Упрощенная энергетическая диаграмма полупроводника изображена на рис В собственном полупроводнике уровень Ферми EF находится в середине запрещенной ... ... и типа проводимости ). Введение легирующих примесей может обеспечивать воспроизводимые результаты только в том. случае, если их концентрация в полупроводнике (которая должна быть ниже .их предела растворимости при температурах , близких к комнатной ) значительно ... (Материаловедение и материалы электронных аппаратов)
... падает Причиной этого уменьшения фотопроводимости является изменение области генерации свободных носителей . в полупроводнике С укорочением длины волны область генерации носителей перемещается в быстро . сужающийся поверхностный ... ... 1 спектра поглощения значения ф~- Граница собственного . поглощения гр =с/гр большинства полупроводников приходится на видимую или.инфракрасную часть оптического диапазона На величину гр кроме типа полупроводника ... (Квантовая электроника)
... мышьяк , фосфор и другие полупроводящие материалы , являющиеся химическими элементами ). Физика и техника полупроводников достигла больших успехов благодаря тому , что. ряд веществ удалось получить в чрезвычайно ... ... . типа p Итак , вводя примеси того или иного сорта , можно изменять механизм . электрического тока в полупроводнике , т е создавать такие условия , при которых активную роль в этом механизме . будут играть электроны или дырки ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... полупроводниками , имеющими различную ширину запрещенной . зоной Переход на границе металл - диэлектрик - полупроводник (МДП ). Процессы , протекающие в системе МДП , связаны с эффектом электрического поля . Эффект ... ... поля состоит в изменении концентрации носителей заряда , а следовательно . и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля .создаваемого напряжением Е (рис ) Режим обогащения и режим обеднения ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... в то же время , когда из Matrix Semiconductor приходили . победные реляции о создании трехмерных полупроводников , ученые из IBM Research -.исследовательского подразделения корпорации IBM - на международной конференции по схемотехническому ... (История компьютерной техники и IT технологий)
Комментарии
Оставить комментарий