1. Один из толков поповщины у старообрядцев, переход в который сопровождался обрядом вторичного помазания миром.
... (вход ), присоединенный к «земле »; наземлю вытекает ток .I = ( Vcc - , /, ,7 В - падение напряжения .напрямосмещенном эмиттерном переходе VT .Если отключить все эмиттеры , илиподать нанихнапряжения логической ... ... отключить все эмиттеры , илиподать нанихнапряжения логической .1 (более 2 ,4 В), точерезпрямосмещенный коллекторный переход .вбазу будет втекать ток резистора , I = ( V.cc - 1 , /, 1 ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... начального смещения ОУ , рис 4 , использует для стабилизации напряжения смещения два прямосмещенных диода . и VD Развитием этой идеи служит следующая схема , рис Для ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)
... ,2 - 1 ,4 В., так как не может быть меньше , чем удвоенное падение напряжения .на прямосмещенном p-n переходе Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер , для кремниевого транзистора около 0,9 . В (по сравнению ... ... и около 2 В для транзисторов большой мощности ., так как не может быть меньше чем падение напряжения на.прямосмещенном p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе Применение нагрузочного ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)
... (рис . 5 , в), и падение напряжения VAK = ( - || + V приблизительно . равно сумме напряжения на одном прямосмещенном переходе и напряжения на.насыщенном , транзисторе Режим прямой проводимости Когда тиристор находится ... ... реверсивной (то есть нерабочей ) полярности , когда .базы , в первую очередь , заполняются электронно-дырочной плазмой через прямосмещенный коллекторный . переход После этого , уже при рабочей полярности , включение динистора происходит ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... реализовать рабочую точку .взоне малого напряжения Это возможно дляСВЧ диодов прямосмещенного типаОпределенное число детекторных диодов обладают характеристикой , приближенной кквадратичной Как результат ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов Напряжение на открытом приборе складывается из напряжения на прямосмещенном эмиттерном . переходе p-n (диодная составляющая ) и падения напряжения на сопротивлении .модулируемой nобласти ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий