Вам бонус- начислено 1 монета за дневную активность. Сейчас у вас 1 монета

Перемазовщина - понятие и значение




Рассмотрим что означает понятие и значение слова перемазовщина (информация предоставлена intellect.icu).

1. Один из толков поповщины у старообрядцев, переход в который сопровождался обрядом вторичного помазания миром.


перемазовщина

Часть речи

Имя существительное

Словоформы

перемазовщины, перемазовщине, перемазовщину, перемазовщиной, перемазовщиною, перемазовщин, перемазовщинам, перемазовщинами, перемазовщинах

Синонимы

перемазанство

Рифмы

Данное слово имеет следующие слова-рифмы:

Полные рифмы для слова "перемазовщина":
августина, аверина, авершина, авральщина, автодрезина, автомашина, автошина, агатина, агриппина, адельвина, болгарина, гуталина, злодейкина, македонянина, малороссиянина, мокасина, паужина, персиянина, финикиянина, хозяина

Рифмы для этого же слова "перемазовщина", но если ударение на последний слог :
абаддона, абаддонна, абадонна, аббуна, абдомена.
Помните, что рифмы могут зависеть от диалектов и произношения, поэтому в некоторых случаях рифмы могут варьироваться.

Вымышленные слова-рифмы для этого же слова (с учетом частотности букв русского или английского языка) "перемазовщина" :
тивотаина, нелэвиина, жосуваина, кучинаина, золыцаина, тодомаина, пйдысаина, ыеродоина.



Больше рифм


Цифровое произношение

Используя технологию и алгоритмы для преобразования "Перемазовщина" в числовой формат с целью облегчения их поиска, классификации или сопоставления для достижения цифрового произношения алгоритмами soundex-П652, для metaphone-"пиримазaфщина" и для double-metaphone PRMS.

См. также

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL) ... (вход ), присоединенный к «земле »; наземлю вытекает ток .I = ( Vcc - , /, ,7 В - падение напряжения .напрямосмещенном эмиттерном переходе VT .Если отключить все эмиттеры , илиподать нанихнапряжения логической ... ... отключить все эмиттеры , илиподать нанихнапряжения логической .1 (более 2 ,4 В), точерезпрямосмещенный коллекторный переход .вбазу будет втекать ток резистора , I = ( V.cc - 1 , /, 1 ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

СПОСОБЫ КОМПЕНСАЦИИ НАЧАЛЬНОГО СМЕЩЕНИЯ ВХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ в устройствах на микросхемах ... начального смещения ОУ , рис 4 , использует для стабилизации напряжения смещения два прямосмещенных диода . и VD Развитием этой идеи служит следующая схема , рис Для ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)

Составной транзистор - сборка Дарлингтона ... ,2 - 1 ,4 В., так как не может быть меньше , чем удвоенное падение напряжения .на прямосмещенном p-n переходе Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер , для кремниевого транзистора около 0,9 . В (по сравнению ... ... и около 2 В для транзисторов большой мощности ., так как не может быть меньше чем падение напряжения на.прямосмещенном p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе Применение нагрузочного ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)

Тиристоры и динисторы, Принцип действия, режимы работы, характеристика и диагностика исправности,Управляемые выпрямители ... (рис . 5 , в), и падение напряжения VAK = ( - || + V приблизительно . равно сумме напряжения на одном прямосмещенном переходе и напряжения на.насыщенном , транзисторе Режим прямой проводимости Когда тиристор находится ... ... реверсивной (то есть нерабочей ) полярности , когда .базы , в первую очередь , заполняются электронно-дырочной плазмой через прямосмещенный коллекторный . переход После этого , уже при рабочей полярности , включение динистора происходит ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

Низкочастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотный диоды (НЧ, ВЧ и СВЧ) - особенности, классификация, принцип работы, конструкция, диагностика ... реализовать рабочую точку .взоне малого напряжения Это возможно дляСВЧ диодов прямосмещенного типаОпределенное число детекторных диодов обладают характеристикой , приближенной кквадратичной Как результат ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)

IGBT – силовые транзисторы - Принцип действия биполярного транзистора с изолированным  Затвором (IGBT) ... Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов Напряжение на открытом приборе складывается из напряжения на прямосмещенном эмиттерном . переходе p-n (диодная составляющая ) и падения напряжения на сопротивлении .модулируемой nобласти ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)



создано: 2021-02-27
обновлено: 2021-05-09
1



Рейтиг 10 of 10. count vote: 11
Вы довольны ?:
Поделиться:

Найди готовое или заработай

С нашими удобными сервисами без комиссии*

Как это работает? | Узнать цену?

Найти исполнителя
$0 / весь год.
  • У вас есть задание, но нет времени его делать
  • Вы хотите найти профессионала для выплнения задания
  • Возможно примерение функции гаранта на сделку
  • Приорететная поддержка
  • идеально подходит для студентов, у которых нет времени для решения заданий
Готовое решение
$0 / весь год.
  • Вы можите продать(исполнителем) или купить(заказчиком) готовое решение
  • Вам предоставят готовое решение
  • Будет предоставлено в минимальные сроки т.к. задание уже готовое
  • Вы получите базовую гарантию 8 дней
  • Вы можете заработать на материалах
  • подходит как для студентов так и для преподавателей
Я исполнитель
$0 / весь год.
  • Вы профессионал своего дела
  • У вас есть опыт и желание зарабатывать
  • Вы хотите помочь в решении задач или написании работ
  • Возможно примерение функции гаранта на сделку
  • подходит для опытных студентов так и для преподавателей

Комментарии


Оставить комментарий
Если у вас есть какое-либо предложение, идея, благодарность или комментарий, не стесняйтесь писать. Мы очень ценим отзывы и рады услышать ваше мнение.
To reply