1. Процесс действия по значению глагол: запирать, запираться (1-3).
-я, средний род
Действие по значение глагол запирать.

... ВАХ тиристор относят к6 Режимы работы триодного тиристора Режим обратного запирания Рис Режим обратного запирания тиристора Два основных фактора ограничивают режим ... ... пробоя ипрямого пробоя .: Лавинный пробой Прокол обедненной области Врежиме обратного запирания каноду прибора приложено напряжение , отрицательное .поотношению ккатоду ; переходы исмещены в.обратном ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... , что боковой волновод 3 находится в. положении пропускания , а торцевой волновод 1 - в положении запирания по.отношению к волне При поляризации поля волны типа , изображенной на рис 54 ,в, в положении ... ... типа , изображенной на рис 54 ,в, в положении пропускания находится торцевой волновод 1 , а. в положении запирания - боковой волновод В положении запирания круглый и.прямоугольный волноводы развязаны , а в положении пропускания ... (Устройства СВЧ и антенны)
... , вцепь стока транзистора включена индуктивность .первичной обмотки трансформатора илидросселя Иприрезком запирании транзистора вусловиях , когда коммутируемый ток .еще не понизился добезопасной величины ... ... ккатастрофе Чтобы эту скорость роста напряжения понизить иоблегчить тепловой режим .запирания транзистора - междустоком иистоком защищаемого ключа ставят работает следующим образом Вмомент ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)
... фотодиодов даже в режиме холостого хода сравнительно велико ., поэтому процессы отпирания и запирания ключа , связанные с зарядом входной .емкости МОП-транзисторов , протекают довольно медленно Типичным ... (Компьютерная схемотехника и архитектура компьютеров)
... истоку-стоку вобратном относительно источника .питания включении , шунтирует импульсы тока , образующегося призапирании транзистора , работающего .наиндуктивную нагрузку Если транзисторы работают вмостовой илиполумостовой схеме ... ... включается диод .Шоттки дляблокирования паразитного диода Паразитный диод имеетбольшое время запирания , чтоможет привести к.сквозным токам ивыходу транзисторов изстроя Резистор , включенный междуистоком ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... припостроении полупроводниковых ограничителей СВЧ Косновным параметрам переключательных диодов относятся : потери запирания ( ) и.потери пропускания ( ), связанные сними параметр качества (KK ) и.критическая частота диода ... ... частота диода ( ), время прямого иобратного восстановления , накопленный заряд .идр Потери запирания ( ) ипотери пропускания ( ).Для любого переключательного диода характерны два основных режима ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий