1. Процесс действия по значению глагол: забирать (1).
-я, средний род
Действие по глагол забирать 1 (в 1 и 2 значение ).
... анод-катод ниже тока включения спрямления Участок между 0 и Vbr описывает режим обратного запирания прибора . Участок далее Vbr - режим обратного пробоя Вольтамперная характеристика симметричных ... ... ВАХ тиристор относят к 6 Режимы работы триодного тиристора Режим обратного запирания Рис Режим обратного запирания тиристора Два основных фактора ограничивают режим ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... , что боковой волновод 3 находится в. положении пропускания , а торцевой волновод 1 - в положении запирания по.отношению к волне При поляризации поля волны типа , изображенной на рис 54 ,в, в положении ... ... типа , изображенной на рис 54 ,в, в положении пропускания находится торцевой волновод 1 , а. в положении запирания - боковой волновод В положении запирания круглый и.прямоугольный волноводы развязаны , а в положении пропускания ... (Устройства СВЧ и антенны)
... , в цепь стока транзистора включена индуктивность . первичной обмотки трансформатора или дросселя И при резком запирании транзистора в условиях , когда коммутируемый ток . еще не понизился до безопасной величины ... ... к катастрофе Чтобы эту скорость роста напряжения понизить и облегчить тепловой режим . запирания транзистора - между стоком и истоком защищаемого ключа ставят работает следующим образом В момент ... (Электротехника, Схемотехника, Аналоговые устройства)
... фотодиодов даже в режиме холостого хода сравнительно велико ., поэтому процессы отпирания и запирания ключа , связанные с зарядом входной .емкости МОП-транзисторов , протекают довольно медленно Типичным ... (Компьютерная схемотехника и архитектура компьютеров)
... истоку-стоку вобратном относительно источника .питания включении , шунтирует импульсы тока , образующегося призапирании транзистора , работающего .наиндуктивную нагрузку Если транзисторы работают вмостовой илиполумостовой схеме ... ... включается диод .Шоттки дляблокирования паразитного диода Паразитный диод имеетбольшое время запирания , чтоможет привести к.сквозным токам ивыходу транзисторов изстроя Резистор , включенный междуистоком ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
... припостроении полупроводниковых ограничителей СВЧ Косновным параметрам переключательных диодов относятся : потери запирания ( ) и.потери пропускания ( ), связанные сними параметр качества (KK ) и.критическая частота диода ... ... частота диода ( ), время прямого иобратного восстановления , накопленный заряд .идр Потери запирания ( ) ипотери пропускания ( ).Для любого переключательного диода характерны два основных режима ... (Электроника, Микроэлектроника , Элементная база)
Комментарии
Оставить комментарий