Лекция
Привет, Вы узнаете о том , что такое кмоп, Разберем основные их виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое кмоп, комплементарная структура металл-оксид-полупроводник , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база.
КМОП ( комплементарная структура металл-оксид-полупроводник ; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем — КМОП.
В более общем случае название — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения логических состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов локализованных в одном месте кристалла. Вследствие меньшего расстояния между элементами КМОП-схемы обладают бо́льшим быстродействием и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки на поверхности кристалла.
По аналогичной технологии выпускаются дискретные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
Схемы КМОП в 1963 изобрел Фрэнк Вонлас[en] из компании Fairchild Semiconductor, первые микросхемы по технологии КМОП были созданы в 1968. Долгое время КМОП рассматривалась как энергосберегающая, но медленная альтернатива ТТЛ, поэтому микросхемы КМОП нашли применение в электронных часах, калькуляторах и других устройствах с батарейным питанием, где энергопотребление было критичным.
К 1990 году с повышением степени интеграции микросхем встала проблема рассеивания энергии на элементах. В результате технология КМОП оказалась в выигрышном положении. Со временем были достигнуты скорость переключения и плотность монтажа, недостижимые в технологиях, основанных на биполярных транзисторах.
Ранние КМОП-схемы были очень уязвимы для электростатических разрядов. Сейчас эта проблема в основном решена, но при монтаже КМОП-микросхем рекомендуется принимать меры по снятию электрических зарядов.
Для изготовления затворов в КМОП-ячейках на ранних этапах применялся алюминий. Позже, в связи с появлением так называемой самосовмещенной технологии, которая предусматривала использование затвора не только как конструктивного элемента, но одновременно как маски при получении сток-истоковых областей, в качестве затвора стали применять поликристаллический кремний.
Для примера рассмотрим схему вентиля 2И-НЕ, построенного по технологии КМОП.
В схеме нет никаких нагрузочных резисторов, поэтому в статическом состоянии через КМОП-схему протекают только токи утечки через закрытые транзисторы, и энергопотребление очень низкое. При переключениях электрическая энергия тратится в основном на перезаряд емкостей затворов и проводников, так что потребляемая (и рассеиваемая) мощность пропорциональна частоте этих переключений (например, тактовой частоте процессора).
На рисунке конфигурации микросхемы 2И-НЕ показано, что в ней используются два двухзатворных полевых транзистора с разным типом проводимости канала. Верхний двухзатворный полевой транзистор формирует высокий уровень на выходе логического элемента, если любой из затворов имеет низкий уровень, а нижний двухзатворный полевой транзистор формирует высокий уровень на выходе логического элемента, если оба затвора имеют высокий уровень.
Следует отметить, что, поскольку переключение n-канальных и p-канальных транзисторов имеет конечное время, на короткое время оба типа транзисторов могут быть открыты и между цепями питания возникает импульсный сквозной ток. Это приводит к повышению энергопотребления.
Так как затворы МДП-транзисторов имеют большое входное сопротивление, электростатический разряд может привести к пробою затвора и выходу микросхемы из строя. Для защиты от статического электричества каждый вывод КМОП-микросхемы оснащают защитной схемой, в которую входят диоды с низким напряжением пробоя, соединяющие каждый вход с шинами питания.
«CMOS» относится как к конкретному стилю проектирования цифровых схем, так и к семейству процессов, используемых для реализации этой схемы на интегральных схемах (микросхемах). Схема CMOS рассеивает меньше энергии, чем логические семейства с резистивной нагрузкой. Поскольку это преимущество увеличивалось и становилось все более важным, процессы и варианты КМОП стали доминировать, поэтому подавляющее большинство современных производств интегральных схем основано на процессах КМОП. CMOS логика потребляет более 7 раз меньше энергии , чем NMOS логики , и примерно в 100000 раз меньше энергии , чем биполярного транзисторно-транзисторной логики (TTL).
В КМОП-схемах используется комбинация металл-оксидно-полупроводниковых полевых транзисторов p-типа и n-типа (MOSFET) для реализации логических вентилей и других цифровых схем. Хотя логика КМОП может быть реализована с помощью дискретных устройств для демонстрации, коммерческие изделия КМОП представляют собой интегральные схемы, состоящие из миллиардов транзисторов обоих типов на прямоугольном куске кремния площадью от 10 до 400 мм 2 .
CMOS всегда использует все полевые МОП - транзисторы в режиме улучшения (другими словами, нулевое напряжение затвор-исток выключает транзистор).
Для более гибкого применения у ряда производителей существуют также особые семейства, в которых каждая ИМС включает всего 1 логический элемент в 5..6-выводном корпусе, что бывает полезно для конструкций с малым количеством разных элементов и минимальным размером платы (например: 74LVC1G00GW фирмы NXP; SOT353-1 Single 2-Input Positive-AND Gate)
Исследование, описанное в статье про кмоп, подчеркивает ее значимость в современном мире. Надеюсь, что теперь ты понял что такое кмоп, комплементарная структура металл-оксид-полупроводник и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то не стесняйся, пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база
Комментарии
Оставить комментарий
Электроника, Микроэлектроника , Элементная база
Термины: Электроника, Микроэлектроника , Элементная база